磁电存储芯片使用的关键材料是具有磁电效应的材料，如铁电体、多铁体和自旋电子材料等。其中，铁电体是一种具有自极化电荷的晶体材料，能够根据所施加的电场来改变自身的极化方向，实现信息的储存和读取。
多铁体则具有同时具备铁电性和磁性的特性，可以利用磁电耦合效应来实现数据的高效传输。
自旋电子材料则是利用自旋电子的特殊性质来实现存储和处理信息的，如垂直介质磁记录中使用的氧化铝隔离层和铁磁性材料。这些材料的开发和应用对磁电存储芯片的性能和应用范围具有决定性的影响。
磁电存储（Magnetoelectric Memory）是一种利用磁性和电性耦合效应来存储信息的技术。这种存储技术结合了磁存储和电存储的优点，具有速度快、功耗低、非易失性等特点。磁电存储材料通常需要具备以下特性：
1. 磁性：材料应具有稳定的磁性，能够在外部磁场作用下产生磁化。
2. 电性：材料应具有电性，能够在电场作用下产生极化。
3. 磁电耦合：材料应具有较强的磁电耦合效应，即磁化状态和极化状态之间存在有效的相互作用。
4. 非易失性：材料应能够在没有外部电源的情况下保持其磁化和极化状态，即信息存储的非易失性。
5. 稳定性：材料应具有良好的热稳定性和化学稳定性，能够在各种环境下稳定工作。
目前，磁电存储材料的研究还处于初级阶段，科学家们正在探索多种材料，包括氧化物、钙钛矿、铁电材料等。例如，某些钙钛矿结构的材料（如BaTiO3）和铁电材料（如Pb(Zr,Ti)O3）已被研究用于磁电存储。
由于磁电存储技术仍在发展中，具体的材料选择和优化仍在不断进行中。随着材料科学和纳米技术的进步，未来可能会发现更多适合磁电存储的新型材料。
磁电存储芯片的材料是氧化钛（TiO₂）和镍铁合金（NiFe）。这两种材料在电场和磁场作用下能够发生电荷和磁矩的倒转，从而实现二进制数据的存储和读取。
氧化钛是一种氧化物陶瓷材料，具有良好的介电性能和电阻性能，可用于实现磁电隧道结构。
镍铁合金具有优异的磁性能和稳定的磁性能，可用于实现磁性导向结构。磁电存储芯片以其高性能、低功耗和长寿命等优点，在未来的信息存储和数据处理中具有广泛的应用前景。