扩散硅压力传感器和 MEMS 压力传感器都是用于测量压力的传感器，但它们的工作原理和结构略有不同。
扩散硅压力传感器是一种采用扩散硅技术制造的压力传感器，它利用硅材料的压阻效应，将压力转换为电信号。这种传感器的结构比较简单，主要由硅芯片和引线组成，具有较高的灵敏度和精度，适合于测量微小压力。
MEMS 压力传感器是一种基于微机电系统（MEMS）技术制造的压力传感器，它采用微机械结构，将压力转换为电信号。MEMS 压力传感器的结构比较复杂，包括微机械结构、信号处理电路等，具有较高的集成度和稳定性，适合于测量高精度压力。
工作原理：
采用阳离子交换膜，其固定基团带负电荷，只允许阳离子透过；采用阴离子交换膜则相反。虽然阳离子交换膜有阻止阴离子通过的选择性，但是羟基(OH-)却能通过;而氢离子(H+)同样也能通过阴离子交换膜。酸根离子和H+分别通过阴离子交换膜后结合为酸;金属离子和OH-分别通过阳离子交换膜后结合为碱。
扩散渗析浓缩酸碱的影响因素：
膜的物理化学性质，原液的成分、浓度，操作条件(温度、流速等)，隔板型式等
在工业生产和矿山开采、溶炼(如钢铁工业、湿法炼铜工业、钛材工业、电镀工业、稀土工业、木材糖化工业、黄金开采及有色金属冶炼工业等)过程中,常要使用到各种无机酸(如硫酸、盐酸、硝酸等)来清洗金属表面或溶解矿石,由此而产生了大量含有各种金属离子的废酸溶液,如果不加以处理将其排放,不但浪费自然资源,更为严重的是会污染环境、土壤和水源。因此各类酸分离及回收的方法层出不穷，如膜法、中和法、铁红法、结晶法、离子交换法、萃取法等等，但实践证明,膜法扩散渗析是较简单、较经济、也是较有效的处理方法。
应用领域：
化成箔、钢铁酸洗、蓄电池、湿法冶金、多晶硅、玻璃蚀刻、石墨生产、PS版稀土等行业。
扩散硅压力传感器和 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）压力传感器在工作原理、结构和性能方面存在一些区别，包括：
1.工作原理：
- 扩散硅压力传感器基于半导体技术，通过在硅晶片上形成压力敏感电阻，当受到压力时，电阻值发生变化，从而测量压力。
- MEMS 压力传感器则采用微机械加工技术，将微机械结构与集成电路集成在一起，通过测量微结构的变形或振动来检测压力。
2.结构：
- 扩散硅压力传感器通常较为简单，由硅晶片和电极组成。
- MEMS 压力传感器可能具有更复杂的微结构，如薄膜、悬臂梁或微型腔体等。
3.性能特点：
- 扩散硅压力传感器一般具有较高的精度和稳定性，但可能对温度较为敏感。
- MEMS 压力传感器通常具有较小的尺寸、低功耗和高集成度，适用于微型化和便携式应用。
4.成本：
- 扩散硅压力传感器的制造成本相对较低，适用于大规模生产。
- MEMS 压力传感器由于其复杂的制造工艺，成本可能相对较高。
5.应用领域：
- 扩散硅压力传感器广泛应用于工业自动化、汽车、航空航天等领域。
- MEMS 压力传感器在消费电子、医疗设备、物联网等领域有较多应用。
选择使用哪种压力传感器取决于具体的应用需求，如测量范围、精度要求、尺寸限制、成本考虑等。在某些情况下，两种类型的传感器可能可以相互替代，而在其他情况下，特定的应用场景可能更适合其中一种类型。
如果你对压力传感器的具体应用有更详细的需求，建议与压力传感器供应商或专业工程师进一步沟通，以选择最适合你项目的传感器类型。